|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
| Основные | |
|---|---|
| Тип | внутренний |
| Емкость | 512 ГБ |
| Форм фактор | M.2 2280 |
| Интерфейс | PCIe Gen 3.0 x4 |
| Тип NAND памяти | 3D NAND /flash |
| Внешняя скорость записи | 2100 Мб/сек |
| Внешняя скорость считывания | 3300 Мб/сек |
| Наработка на отказ | 2 млн. ч |
| Дополнительно | |
| Рабочая температура | 0°C до 70°C |
| Скорость чтения до | 210000 IOPS |
| Скорость записи до | 310000 IOPS |
| Рабочее напряжение | 3.3 В ±5% |
| Сертификаты | FCC BSMI CE |
| Особенности | |
|---|---|
| RAID Engine | есть |
| LDPC кодирование | есть |
| Поддержка SMART | есть |
| GC (сборка мусора) | есть (рсширенный сбор мусора) |
| Физические | |
| Вес накопителя | 8 г |
| Размеры без упаковки (ШхГхТ) | 80 x 22 x 3.58 мм |