|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
| Основні | |
|---|---|
| Тип | внутрішній |
| Ємність | 512 ГБ |
| Форм фактор | M. 2 2280 |
| Інтерфейс | PCIe Gen 3.0 x4 |
| Тип пам'яті NAND | 3D NAND /flash |
| Зовнішня швидкість запису | 2100 Мб/сек |
| Зовнішня швидкість зчитування | 3300 Мб/сек |
| Напрацювання на відмову | 2 млн. год |
| Додатково | |
| Робоча температура | 0°C до 70°C |
| Швидкість читання до | 210000 IOPS |
| Швидкість запису до | 310000 IOPS |
| Робоча напруга | 3.3 ±5% |
| Сертифікати | FCC BSMI CE |
| Особливості | |
|---|---|
| RAID Engine | є |
| LDPC кодування | є |
| Підтримка SMART | є |
| GC (збірка сміття) | є (рсширенный збір сміття) |
| Фізичні | |
| Вага накопичувача | 8 г |
| Розміри без упаковки (ШхГхТ) | 80 x 22 x 3.58 мм |